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IRF7607规格书详情
描述 Description
New trench HEXFET® power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
The new Micro8™package has half the footprint area of the standard SO-8. This makes the Micro8 an ideal package for applications where printed circuit board space is at a premium. The low profile (
● Trench Technology
● Ultra Low On-Resistance
● N-Channel MOSFET
● Very Small SOIC Package
● Low Profile (<1.1mm)
● Available in Tape & Reel
产品属性
- 型号：
IRF7607
- 功能描述：
MOSFET N-CH 20V 6.5A MICRO-8
- RoHS：
否
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列：
HEXFET®
- 标准包装：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装：
TO-220FP
- 包装：
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
N/A |
20+ |
SSOP |
2960 |
诚信交易大量库存现货 |
询价 | ||
IR |
1709+ |
SOP8 |
45000 |
普通 |
询价 | ||
IOR |
25+ |
TSSOP |
4500 |
全新原装、诚信经营、公司现货销售 |
询价 | ||
IR |
2023+ |
SSOP-8 |
5800 |
进口原装,现货热卖 |
询价 | ||
IR |
25+ |
TSSOP8 |
2516 |
全新原装正品支持含税 |
询价 | ||
IR |
20+ |
MSOP8 |
49000 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
IR |
21+ |
MSOP8 |
19600 |
一站式BOM配单 |
询价 | ||
IR |
24+ |
MSOP |
35200 |
一级代理分销/放心采购 |
询价 | ||
IR |
21+ |
MSOP8 |
30000 |
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
24+ |
MICRO8 |
6000 |
全新原装深圳仓库现货有单必成 |
询价 |
