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IRF7534D1PBF规格书详情
描述 Description
The FETKY family of co-packaged MOSFETs and Schottky diodes offers the designer an innovative, board space saving solution for switching regulator and power management applications. International Rectifier utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Combining this technology with International Rectifier’s low forward drop Schottky rectifiers results in an extremely efficient device suitable for use in a wide variety of portable electronics applications, such as cell phones, PDAs, etc.
● Lead-Free
● Co-packaged HEXFET® power MOSFET and Schottky diode
● Ultra Low On-Resistance MOSFET
● Trench technology
● Micro8TM Footprint
● Available in Tape & Reel
产品属性
- 型号：
IRF7534D1PBF
- 功能描述：
MOSFET P-CH 20V 4.3A MICRO-8
- RoHS：
是
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列：
FETKY™
- 标准包装：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装：
TO-220FP
- 包装：
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
2016+ |
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