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IRF7726	文件：95.6 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET(Vdss=-30V) Description HEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththeruggedizeddevicedesign,thatInternationalRectifieriswellknownfor,providesthedesignerwithanex	IRF International Rectifier	IRF
IRF7726PBF	文件：128.259 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET Description HEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththeruggedizeddevicedesign,thatInternationalRectifieriswellknownfor,providesthedesignerwithanex	IRF International Rectifier	IRF
IRF7726TR	文件：97.63 Kbytes Page：9 Pages	Ultra Low On-Resistance Description HEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththeruggedizeddevicedesign,thatInternationalRectifieriswellknownfor,providesthedesignerwithanex	IRF International Rectifier	IRF
IRF7726PBF	文件：133.7 Kbytes Page：10 Pages	Ultra Low On-Resistance	IRF International Rectifier	IRF
IRF7726PBF_15	文件：133.7 Kbytes Page：10 Pages	Ultra Low On-Resistance	IRF International Rectifier	IRF
L7726	文件：61.23 Kbytes Page：2 Pages	RedLEDforopticallinkEmitterfor156MbpsPOFcommunications	HAMAMATSUHamamatsu Photonics Co.,Ltd. 滨松光子滨松光子学株式会社	HAMAMATSU
L7726	文件：153.17 Kbytes Page：2 Pages	Emitter/receiverfor156MbpsPOFcommunications L7726andS7726aredesignedforhigh-speedPOF(PlasticOpticalFiber)communications.Bothdevicesaremoldedintominiatureplasticpackageswithlenses,allowingeasyandefficientcouplingtoaPOF.S7727usesamonolithicphotoICthatensureshighresistancetoexternalnoiseandhighrelia	HAMAMATSUHamamatsu Photonics Co.,Ltd. 滨松光子滨松光子学株式会社	HAMAMATSU
NCV7726A	文件：275.25 Kbytes Page：26 Pages	Half-BridgeDriver	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NCV7726B	文件：284.84 Kbytes Page：26 Pages	Half-BridgeDriver	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NJU7726X	文件：2.060969 Mbytes Page：31 Pages	High-Speed,Rail-to-RailInput,CMOSComparator FEATURES (V+=5V,Typicalvalue,Ta=25°C) PropagationDelay(TPLH/TPHL) -NJU7725x42ns/35ns -NJU7726x125ns/32ns Rail-to-RailCommon-ModeInputVoltageRange 0.2VbeyondSupplyRails DynamicTransientStabilizerTM -Rail-to-RailInputwithlesspropagationdelay fluctuat	NISSHINBONisshinbo Micro Devices Inc. 日清纺微电子?清纺微电?株式会社	NISSHINBO

详细参数

型号：
IRF7726
功能描述：
MOSFET P-CH 30V 7A MICRO8
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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