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IRF7726	文件：95.6 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET(Vdss=-30V) Description HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the ruggedized device design, that International Rectifier is well known for, provides the designer with an ex 文件：95.6 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF7726	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 Micro 8 封装的 -30V 单 P 通道功率 MOSFET \n优势:\n• 符合 RoHS\n• 具有业内先进的品质\n• P 通道MOSFET;	Infineon 英飞凌	Infineon
IRF7726PBF	文件：128.259 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET Description HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the ruggedized device design, that International Rectifier is well known for, provides the designer with an ex 文件：128.259 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF7726TR	文件：97.63 Kbytes Page：9 Pages	Ultra Low On-Resistance Description HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the ruggedized device design, that International Rectifier is well known for, provides the designer with an ex 文件：97.63 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF7726PBF	文件：133.7 Kbytes Page：10 Pages	Ultra Low On-Resistance 文件：133.7 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF7726PBF_15	文件：133.7 Kbytes Page：10 Pages	Ultra Low On-Resistance 文件：133.7 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF

技术参数

OPN：
IRF7726TRPBF
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
MICRO8
VDS max：
-30 V
RDS (on) @10V max：
26 mΩ
RDS (on) @4.5V max：
40 mΩ
ID @25°C max：
-7 A
QG typ @10V：
46 nC
Polarity：
P
VGS(th) min：
-1 V
VGS(th) max：
-2.5 V
VGS(th)：
-1.75 V
Technology：
IR MOSFET™

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更多IRF7726供应商更新时间2025-10-4 13:00:00

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