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IRF7726	文件：95.6 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET(Vdss=-30V) Description HEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththeruggedizeddevicedesign,thatInternationalRectifieriswellknownfor,providesthedesignerwithanex	IRF International Rectifier	IRF
IRF7726	文件：300 bytes Page：1 Pages	-30V 单个 P 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 Micro 8封装; \n优势:\n• 符合 RoHS\n• 具有业内先进的品质\n• P 通道MOSFET\n;	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IRF7726PBF	文件：128.259 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET Description HEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththeruggedizeddevicedesign,thatInternationalRectifieriswellknownfor,providesthedesignerwithanex	IRF International Rectifier	IRF
IRF7726TR	文件：97.63 Kbytes Page：9 Pages	Ultra Low On-Resistance Description HEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththeruggedizeddevicedesign,thatInternationalRectifieriswellknownfor,providesthedesignerwithanex	IRF International Rectifier	IRF
IRF7726PBF	文件：133.7 Kbytes Page：10 Pages	Ultra Low On-Resistance	IRF International Rectifier	IRF
IRF7726PBF_15	文件：133.7 Kbytes Page：10 Pages	Ultra Low On-Resistance	IRF International Rectifier	IRF

技术参数

OPN：
IRF7726TRPBF
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
MICRO8
VDS max：
-30 V
RDS (on) @10V max：
26 mΩ
RDS (on) @4.5V max：
40 mΩ
ID @25°C max：
-7 A
QG typ @10V：
46 nC
Polarity：
P
VGS(th) min：
-1 V
VGS(th) max：
-2.5 V
VGS(th)：
-1.75 V
Technology：
IR MOSFET™

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