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IRF7413QPBF	文件：257.48 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET Power MOSFET Description These HEXFET®Power MOSFETs in SO-8 package utilize the lastest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of these HEXFET Power MOSFETs are a 150°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive aval 文件：257.48 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF7413TR	文件：244.97 Kbytes Page：9 Pages	Ultra Low On-Resistance SMPS MOSFET Benefits • Low Gate to Drain Charge to Reduce Switching Losses • Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) • Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Applications • High frequency DC-DC converters 文件：244.97 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF7413TRPBF-TP	文件：1.99792 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET GENERAL FEATURES © Vo =30Vlo 124 Rosin 文件：1.99792 Mbytes 页数：5 Pages	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC
IRF7413Z	文件：210.69 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET Benefits ● Ultra-Low Gate Impedance ● Very Low RDS(on) ● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current ● 100 Tested for RG Applications ● Control FET for Notebook Processor Power ● Control and Synchronous Rectifier MOSFET for Graphics Cards and POL Converters in Computing, Netwo 文件：210.69 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF7413ZPBF	文件：266.83 Kbytes Page：10 Pages	Control FET for Notebool Processor Power, Control and Synchronous Rectifier Benefits ● Ultra-Low Gate Impedance ● Very Low RDS(on) ● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current ● 100 Tested for RG ● Lead-Free Applications ● Control FET for Notebook Processor Power ● Control and Synchronous Rectifier MOSFET for Graphics Cards and POL Converters in Computi 文件：266.83 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF7413ZUPBF	文件：219.63 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide 文件：219.63 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF7413_07	文件：239.41 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET POWER MOSFET 文件：239.41 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF7413GPBF	文件：264.75 Kbytes Page：9 Pages	Ultra Low On-Resistance 文件：264.75 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF7413GTRPBF	文件：264.75 Kbytes Page：9 Pages	Generation V Technology 文件：264.75 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF7413PBF	文件：263.63 Kbytes Page：9 Pages	ULTAR LOW ON RESISTANCE 文件：263.63 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF

技术参数

Package ：
SO-8
VDS max：
30.0V
RDS (on) max：
11.0mΩ
RDS (on)(@10V) max：
11.0mΩ
RDS (on)(@4.5V) max：
18.0mΩ
Polarity ：
N
ID (@ TA=70°C) max：
9.2A
ID (@ TA=25°C) max：
13.0A
Ptot(@ TA=25°C) max：
2.5W
QG ：
44.0nC
RthJA max：
50.0K/W
Mounting ：
SMD
Moisture Sensitivity Level ：
1
Qgd ：
9.2nC
Tj max：
150.0°C
VGS max：
20.0V

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