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IRF740PBF	文件：202.97 Kbytes Page：9 Pages	GenerationVTechnology Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,p	IRF International Rectifier	IRF
IRF740PBF	文件：3.41629 Mbytes Page：6 Pages	HEXFETPowerMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF740PBF	文件：914.96 Kbytes Page：6 Pages	10A,400VHeatsinkN-ChannelTypePowerMOSFET	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
IRF740PBF	文件：157.74 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF740S	文件：93.67 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNEL400V-0.48ohm-10A-D2PAKPowerMESH]MOSFET DESCRIPTION ThispowerMOSFETisdesignedusingthecompany’sconsolidatedstriplayout-basedMESHOVERLAYprocess.Thistechnologymatchesandimprovestheperformancescomparedwithstandardpartsfromvarioussources. ■TYPICALRDS(on)=0.48Ω ■EXTREMELYHIGHdv/dtCAPABILITY ■100	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
IRF740S	文件：174.47 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheD2PAK(TO-263)isasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizeuptoHEX-4.Itprovi	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF740S	文件：199.04 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET FEATURES •Surface-mount •Availableintapeandreel •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •Fastswitching •Easeofparalleling •Simpledriverequirements •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatasheet	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF740SPBF	文件：943.97 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPOWERMOSFET(VDSS=400V,RDS(on)=0.55廓,ID=10A)	IRF International Rectifier	IRF
IRF740SPBF	文件：199.04 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF740STRLPBF	文件：174.47 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheD2PAK(TO-263)isasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizeuptoHEX-4.Itprovi	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

详细参数

型号：
IRF740B_Q
功能描述：
MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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