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IRF740STRLPBF	文件：174.47 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheD2PAK(TO-263)isasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizeuptoHEX-4.Itprovi	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF740STRLPBFA	文件：199.04 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF740STRRPBFA	文件：199.04 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFI740	文件：169.69 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=400V,Rds(on)=0.55ohm,Id=5.4A) Description ThirdGnerationHEXFETsInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220FULLPAKeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-industrialapp	IRF International Rectifier	IRF
IRFI740A	文件：233.1 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRFI740B	文件：678.89 Kbytes Page：9 Pages	400VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstan	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRFI740G	文件：169.69 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=400V,Rds(on)=0.55ohm,Id=5.4A) Description ThirdGnerationHEXFETsInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220FULLPAKeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-industrialapp	IRF International Rectifier	IRF
IRFI740G	文件：1.58797 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. FEATURES •IsolatedPackage •HighVoltageIsolation=2.5kVRMS(t=60s;f=60Hz) •SinktoLeadCr	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFI740G	文件：890.58 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET FEATURES •Isolatedpackage •Highvoltageisolation=2.5kVRMS(t=60s; f=60Hz) •Sinktoleadcreepagedistance=4.8mm •DynamicdV/dtrating •Lowthermalresistance •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 DESCRIPTION Thir	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFI740GLC	文件：221.82 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=400V,Rds(on)=0.55ohm,Id=5.7A) DESCRIPTION ThisnewseriesoflowchargePowerMOSFETsachievesignificantlylowergatechargeoverconventionalMOSFETs.UtilizingadvancedPowerMOSFETstechnology,thedeviceimprovementsallowforreducedgatedriverequirements,fasterswitchingspeedsandincreasedtotalsystemsavings.Th	IRF International Rectifier	IRF

详细参数

型号：
IRF740STRL
功能描述：
MOSFET N-Chan 400V 10 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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