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IRF7324	文件：365.27 Kbytes Page：8 Pages	丝印：IRF7324；Package：SOP-8；Dual P-Channel MOSFET ● Trench Technology ● Ultra Low On-Resistance ● Low Profile ( 文件：365.27 Kbytes 页数：8 Pages	UMW 友台半导体	UMW
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IRF7324	文件：104.75 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET Description New trench HEXFET®Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer wit 文件：104.75 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRF7324D1	文件：164.18 Kbytes Page：8 Pages	FETKY MOSFET / Schottky Diode Description The FETKY family of co-packaged HEXFETs and Schottky diodes offer the designer an innovative board space saving solution for switching regulator applications. Generation 5 HEXFETs utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Combining 文件：164.18 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRF7324D1PBF	文件：134.21 Kbytes Page：8 Pages	FETKY?줞OSFET / Schottky Diode Description The FETKY family of co-packaged HEXFETs and Schottky diodes offer the designer an innovative board space saving solution for switching regulator applications. Generation 5 HEXFETs utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Combining 文件：134.21 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRF7324D1TR	文件：164.18 Kbytes Page：8 Pages	FETKY MOSFET / Schottky Diode Description The FETKY family of co-packaged HEXFETs and Schottky diodes offer the designer an innovative board space saving solution for switching regulator applications. Generation 5 HEXFETs utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Combining 文件：164.18 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRF7324PBF	文件：164.45 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET(-20V, 0.018ohm) Description New trench HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer wi 文件：164.45 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRF7324PBF	文件：169.87 Kbytes Page：8 Pages	Ultra Low On-Resistance 文件：169.87 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF

详细参数

型号：
IRF7324
制造商：
International Rectifier
功能描述：
Dual P-Channel 20 V 2 W 42 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8

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