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IRF8736	文件：664.34 Kbytes Page：8 Pages	丝印：IRF8736；Package：SOP-8；30V N-Channel MOSFET Applications Synchronous MOSFET for Notebook Processor Power Synchronous Rectifier MOSFET for Isolated DC-DC Converters in Networking Systems Benefits Very Low RDS(on) at 4.5V VGS Low Gate Charge Fully Characterized Avalanche Voltage and Current 100 Tested for RG Lead -Free VDS (V) 文件：664.34 Kbytes 页数：8 Pages	EVVOSEMI 翊欧	EVVOSEMI
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IRF8736PBF	文件：247.95 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET Power MOSFET Benefits ● Very Low RDS(on) at 4.5V VGS ● Low Gate Charge ● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current ● 100 Tested for RG ● Lead -Free Applications ● Synchronous MOSFET for Notebook Processor Power ● Synchronous Rectifier MOSFET for Isolated DC-DC Converters in Networking Systems 文件：247.95 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF8736PBF	文件：253.55 Kbytes Page：9 Pages	Synchronous MOSFET for Notebook Processor Power Benefits ● Very Low RDS(on) at 4.5V VGS ● Low Gate Charge ● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current ● 100 Tested for RG ● Lead -Free Applications ● Synchronous MOSFET for Notebook Processor Power ● Synchronous Rectifier MOSFET for Isolated DC-DC Converters in Networking Systems 文件：253.55 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF8736TRPBF	文件：253.55 Kbytes Page：9 Pages	Synchronous MOSFET for Notebook Processor Power Benefits ● Very Low RDS(on) at 4.5V VGS ● Low Gate Charge ● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current ● 100 Tested for RG ● Lead -Free Applications ● Synchronous MOSFET for Notebook Processor Power ● Synchronous Rectifier MOSFET for Isolated DC-DC Converters in Networking Systems 文件：253.55 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
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IRF8736PBF-1	文件：229.89 Kbytes Page：9 Pages	Industry-standard pinout SO-8 Package 文件：229.89 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF8736PBF-1_15	文件：229.89 Kbytes Page：9 Pages	Industry-standard pinout SO-8 Package 文件：229.89 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF8736TRPBF	文件：1.03621 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.03621 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

详细参数

型号：
IRF8736
功能描述：
MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 4.8mOhms 17nC
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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