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IRF7324D1TR规格书详情
Description
The FETKY family of co-packaged HEXFETs and Schottky diodes offer the designer an innovative board space saving solution for switching regulator applications. Generation 5 HEXFETs utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Combining this technology with International Rectifiers low forward drop Schottky rectifiers results in an extremely efficient device suitable for use in a wide variety of portable electronics applications.
The SO-8 has been modified through a customized leadframe for enhanced thermal characteristics. The SO-8 package is designed for vapor phase, infrared or wave soldering techniques.
● Co-packaged HEXFET® Power MOSFET and Schottky Diode
● Ideal for Mobile Phone Applications
● Generation V Technology
● SO-8 Footprint
产品属性
- 型号：
IRF7324D1TR
- 功能描述：
MOSFET P-CH 20V 2.2A 8-SOIC
- RoHS：
否
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列：
FETKY™
- 标准包装：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装：
TO-220FP
- 包装：
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IOR |
24+ |
SO-8 |
2560 |
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询价 | ||
2023+ |
3290 |
进口原装现货 |
询价 | ||||
IR |
2023+ |
SOP-8 |
5800 |
进口原装,现货热卖 |
询价 | ||
IOR |
1822+ |
SOP-8 |
9852 |
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IR |
24+ |
SO-3.9 |
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全新原装现货 |
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IR |
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SOP8 |
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询价 | ||
IR |
24+ |
SOP8 |
27950 |
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24+ |
SOP-8 |
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Infineon Technologies |
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4000 |
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Infineon Technologies |
24+ |
原装 |
5000 |
原装正品,提供BOM配单服务 |
询价 |
