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IRF7304	文件：427.86 Kbytes Page：8 Pages	丝印：IRF7304；Package：SOP-8；Dual P-Channel MOSFET Generation V Technology Ultra Low On-Resistance Surface Mount Available in Tape & Reel Dynamic dv/dt Rating Fast Switching Lead-Free Features VDS (V) = -20V RDS(ON) 140 m (VGS =-2.7V) RDS(ON) 90m (VGS =-4.5V) The SOP-8 has been modified through a customized leadframe for enhan 文件：427.86 Kbytes 页数：8 Pages	UMW 友台半导体	UMW
IRF7304TR	文件：394.76 Kbytes Page：8 Pages	丝印：IRF7304；Package：SOP-8；Dual P-Channel MOSFET Features Generation V Technology Ultra Low On-Resistance Surface Mount Available in Tape & Reel Dynamic dv/dt Rating Fast Switching Lead-Free VDS (V) = -20V RDS(ON) 文件：394.76 Kbytes 页数：8 Pages	EVVOSEMI 翊欧	EVVOSEMI
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IRF7304TR	文件：394.76 Kbytes Page：8 Pages	丝印：IRF7304；Package：SOP-8；Dual P-Channel MOSFET Features Generation V Technology Ultra Low On-Resistance Surface Mount Available in Tape & Reel Dynamic dv/dt Rating Fast Switching Lead-Free VDS (V) = -20V RDS(ON) 文件：394.76 Kbytes 页数：8 Pages	EVVOSEMI 翊欧	EVVOSEMI
IRF7304	文件：243.89 Kbytes Page：6 Pages	Generation V Technology Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, p 文件：243.89 Kbytes 页数：6 Pages	IRF	IRF
IRF7304	文件：394.76 Kbytes Page：8 Pages	Dual P-Channel MOSFET Features Generation V Technology Ultra Low On-Resistance Surface Mount Available in Tape & Reel Dynamic dv/dt Rating Fast Switching Lead-Free VDS (V) = -20V RDS(ON) 文件：394.76 Kbytes 页数：8 Pages	EVVOSEMI 翊欧	EVVOSEMI
IRF7304PBF	文件：231.56 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET Power MOSFET 文件：231.56 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF7304QPBF	文件：252.54 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET Power MOSFET Description These HEXFET® Power MOSFETs in a Dual SO-8 package utilize the lastest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of these HEXFET Power MOSFETs are a 150°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetit 文件：252.54 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF

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详细参数

型号：
IRF7304
功能描述：
MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 8-SOIC
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
系列：
HEXFET®
产品目录绘图：
8-SOIC Mosfet Package
标准包装：
1
系列：
- FET
型：
2 个 N 沟道（双） FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
- 功率 -
最大：
1.4W
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
PowerPAK? SO-8
供应商设备封装：
PowerPAK? SO-8
包装：
Digi-Reel®
产品目录页面：
1664(CN2011-ZH PDF)
其它名称：
SI7948DP-T1-GE3DKR

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