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IRF7303	文件：113.76 Kbytes Page：9 Pages	Generation V Technology Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,	IRF International Rectifier	IRF
IRF7303	文件：446.3 Kbytes Page：8 Pages	丝印：IRF7303；Package：SOP-8；Dual N-Channel MOSFET GenerationVTechnology UltraLowOn-Resistance SurfaceMount Dynamicdv/dtRating FastSwitching Lead-Free VDS(V)=30V ID=5.3A RDS(ON)50m(VGS=-10V) RDS(ON)80m(VGS=-4.5V) Features TheSOP-8hasbeenmodiedthroughacustomizec leadframeforenhancedthermalcharacteristic	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
IRF7303	文件：396.57 Kbytes Page：8 Pages	Dual N-Channel MOSFET Features GenerationVTechnology UltraLowOn-Resistance SurfaceMount Dynamicdv/dtRating FastSwitching Lead-Free VDS(V)=30V ID=5.3A RDS(ON)	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体	EVVOSEMI
IRF7303PBF	文件：230.54 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET Power MOSFET (VDSS = 30V , RDS(on) = 0.050廓 ) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,	IRF International Rectifier	IRF
IRF7303TR	文件：113.76 Kbytes Page：9 Pages	Generation V Technology Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,	IRF International Rectifier	IRF
IRF7303TR	文件：446.3 Kbytes Page：8 Pages	丝印：IRF7303；Package：SOP-8；Dual N-Channel MOSFET GenerationVTechnology UltraLowOn-Resistance SurfaceMount Dynamicdv/dtRating FastSwitching Lead-Free VDS(V)=30V ID=5.3A RDS(ON)50m(VGS=-10V) RDS(ON)80m(VGS=-4.5V) Features TheSOP-8hasbeenmodiedthroughacustomizec leadframeforenhancedthermalcharacteristic	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
IRF7303TR	文件：396.57 Kbytes Page：8 Pages	丝印：IRF7303；Package：SOP-8；Dual N-Channel MOSFET Features GenerationVTechnology UltraLowOn-Resistance SurfaceMount Dynamicdv/dtRating FastSwitching Lead-Free VDS(V)=30V ID=5.3A RDS(ON)	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体	EVVOSEMI
IRF7303TRPBF	文件：1.16241 Mbytes Page：9 Pages	Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100UISTested •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •SetTopBox •LowCurrentDC/DC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
IRF7303TRPBF-TP	文件：2.19004 Mbytes Page：5 Pages	丝印：F7303；Package：SOP-8；Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET GENERALFEATURES @Ros(oN=35mO@VGS=10V ®Ros=45mO@VGS=4.5V ‘@SuperhighdensitycelldesignforextremelylowRos(oN) ®Exceptionalon-resistanceandmaximumDCcurent capability	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC
IRF7304	文件：243.89 Kbytes Page：6 Pages	Generation V Technology Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,p	IRF International Rectifier	IRF

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技术参数

PC：
74
ID：
5.5
VDSS：
400
Vth(min)：
2
RDS：
1.0
VGS(RDS)：
10
Package：
TO-220

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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