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IRF7301	文件：113.75 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)=0.050ohm) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,p	IRF International Rectifier	IRF
IRF7301	文件：409.28 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET Description TheSOP-8hasbeenmodifiedthroughacustomizedleadframeforenhanced thermalcharacteristicsandmultiple-diecapabilitymakingitidealina varietyofpowerapplications.Withtheseimprovements,multipledevices canbeusedinanapplicationwithdramaticallyreducedboardspa	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体	EVVOSEMI
IRF7301PBF	文件：237.6 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET Power MOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,p	IRF International Rectifier	IRF
IRF7301TR	文件：461.64 Kbytes Page：7 Pages	Marking：IRF7301；Package：SOP-8；Generation V Technology Features VDS(V)=20V RDS(ON)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
IRF7301TR	文件：409.28 Kbytes Page：7 Pages	Marking：IRF7301；Package：SOP-8；MOSFET Description TheSOP-8hasbeenmodifiedthroughacustomizedleadframeforenhanced thermalcharacteristicsandmultiple-diecapabilitymakingitidealina varietyofpowerapplications.Withtheseimprovements,multipledevices canbeusedinanapplicationwithdramaticallyreducedboardspa	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体	EVVOSEMI
IRF7301TRPBF	文件：1.08868 Mbytes Page：7 Pages	Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
IRF7303	文件：111.24 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=0.050ohm) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,	IRF International Rectifier	IRF
IRF7303	文件：113.76 Kbytes Page：9 Pages	Generation V Technology Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,	IRF International Rectifier	IRF
IRF7303	文件：446.3 Kbytes Page：8 Pages	Marking：IRF7303；Package：SOP-8；Dual N-Channel MOSFET GenerationVTechnology UltraLowOn-Resistance SurfaceMount Dynamicdv/dtRating FastSwitching Lead-Free VDS(V)=30V ID=5.3A RDS(ON)50m(VGS=-10V) RDS(ON)80m(VGS=-4.5V) Features TheSOP-8hasbeenmodiedthroughacustomizec leadframeforenhancedthermalcharacteristic	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
IRF7303	文件：396.57 Kbytes Page：8 Pages	Dual N-Channel MOSFET Features GenerationVTechnology UltraLowOn-Resistance SurfaceMount Dynamicdv/dtRating FastSwitching Lead-Free VDS(V)=30V ID=5.3A RDS(ON)	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体	EVVOSEMI

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详细参数

型号：
IRF730
功能描述：
MOSFET N-Chan 400V 5.5 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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