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IRF730	文件：128.44 Kbytes Page：1 Pages	N-channel mosfet transistor Features •WithTO-220package •Simpledriverequirements •Fastswitching •VDSS=400V;RDS(ON)≤1.0Ω;ID=5.5A •1.gate2.drain3.source	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF730	文件：848.7 Kbytes Page：3 Pages	N-Channel Power MOSFETs, 5.5 A, 350 V/400 V Description Thesedevicesaren-channol,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighvoltage,highspeedapplications,suchasoff-lineswitchingpowersupplies,UPS,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddrivers. •VQSRatedat±20V •SiliconGateforFastSwitchingSp	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRF730	文件：341.04 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Power MOSFET DESCRIPTION TheNellIRF730areN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistors.Theyaredesigned,testedandguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation. FEATURES ●RDS(ON)=1.00Ω@VGS=10V ●Ultralowgatec	NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd 尼尔半导体尼尔半导体股份有限公司	NELLSEMI
IRF730	文件：100.66 Kbytes Page：3 Pages	6.0A 400V N CHANNEL POWER MOSFET GENERALDESCRIPTION ThisPowerMOSFETisdesignedforlowvoltage,highspeedpowerswitchingapplicationssuchasswitchingregulators,conveters,solenoidandrelaydrivers. FEATURES ◆HigherCurrentRating ◆LowerrDS(ON),LowerCapacitances ◆LowerTotalGateCharge ◆TighterVSDSp	FCIFirst Components International 戈采戈采企业股份有限公司	FCI
IRF730	文件：365.66 Kbytes Page：6 Pages	6.0A, 400V, 1.0廓 N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION ➤IRF730is400VHighvoltageN-Channelenhancement modepowerMOS-FETchipfabricatedinadvanced siliconepitaxialplanartechnology; ➤Advancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage-blockingcapability; ➤AvalancheEnergySpecified; ➤Source-to-DrainDiodeRecov	FS First Silicon Co., Ltd	FS
IRF730	文件：156.83 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET FEATURES •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •Fastswitching •Easeofparalleling •Simpledriverequirements •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatasheetprovidesinformationaboutpartsthatare RoH	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF730	文件：2.43533 Mbytes Page：31 Pages	SEMICONDUCTORS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
IRF730	文件：355.59 Kbytes Page：16 Pages	High Power Factor/Low THD	IRF International Rectifier	IRF
IRF730	文件：277.08 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF730_V01	文件：156.83 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET FEATURES •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •Fastswitching •Easeofparalleling •Simpledriverequirements •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatasheetprovidesinformationaboutpartsthatare RoH	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

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详细参数

型号：
IRF730
功能描述：
MOSFET N-Chan 400V 5.5 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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