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IRF730中文资料意法半导体数据手册PDF规格书

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厂商型号

IRF730

功能描述

N - CHANNEL 400V - 0.75 ohm - 5.5A - TO-220 PowerMESH] MOSFET

文件大小

94.17 Kbytes

页面数量

8

生产厂商

STMICROELECTRONICS

中文名称

意法半导体

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数据手册

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更新时间

2025-12-8 20:29:00

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IRF730规格书详情

描述 Description

The PowerMESH™II is the evolution of the first generation of MESH OVERLAY™. The layout refinements introduced greatly improve the Ron*area figure of merit while keeping the device at the leading edge for what concerns swithing speed, gate charge and ruggedness.

General features

■ Exceptional dv/dt capability

■ 100 avalanche tested

■ Low gate charge

Applications

■ Switching application

产品属性

  • 型号:

    IRF730

  • 功能描述:

    MOSFET N-Chan 400V 5.5 Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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