IRF730中文资料意法半导体数据手册PDF规格书

厂商型号	IRF730
功能描述	N - CHANNEL 400V - 0.75 ohm - 5.5A - TO-220 PowerMESH] MOSFET
文件大小	94.17 Kbytes
页面数量	8 页
生产厂商	STMICROELECTRONICS
中文名称	意法半导体
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更新时间	2026-2-9 23:00:00
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IRF730规格书详情

描述 Description

The PowerMESH™II is the evolution of the first generation of MESH OVERLAY™. The layout refinements introduced greatly improve the Ron*area figure of merit while keeping the device at the leading edge for what concerns swithing speed, gate charge and ruggedness.

General features

■ Exceptional dv/dt capability

■ 100 avalanche tested

■ Low gate charge

Applications

■ Switching application

产品属性

型号：
IRF730
功能描述：
MOSFET N-Chan 400V 5.5 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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