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IRF730S	文件：192.81 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET FEATURES •Surface-mount •Availableintapeandreel •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •Fastswitching •Easeofparalleling •Simpledriverequirements •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatasheet	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF730S_V01	文件：192.81 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET FEATURES •Surface-mount •Availableintapeandreel •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •Fastswitching •Easeofparalleling •Simpledriverequirements •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatasheet	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF730SPBF	文件：893.24 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET POWER MOSFET DESCRIPTION ThirdGenerationMOSFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheSMD-220isasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizeuptoHEX-4.Itp	IRF International Rectifier	IRF
IRF730_17	文件：277.08 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF7301PBF_15	文件：243.16 Kbytes Page：9 Pages	GENERATION V TECHNOLOGY	IRF International Rectifier	IRF
IRF7303	文件：780.11 Kbytes Page：9 Pages	Generation V Technology	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF7303PBF	文件：236.1 Kbytes Page：9 Pages	GENERATION V TECHNOLOGY	IRF International Rectifier	IRF
IRF7303PBF_15	文件：236.1 Kbytes Page：9 Pages	GENERATION V TECHNOLOGY	IRF International Rectifier	IRF
IRF7303QPBF	文件：247.81 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET Power MOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRF7303QPBF_10	文件：244.54 Kbytes Page：9 Pages	HEXFETPOWERMOSET	IRF International Rectifier	IRF

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技术参数

PC：
74
ID：
5.5
VDSS：
400
Vth(min)：
2
RDS：
1.0
VGS(RDS)：
10
Package：
TO-220

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市勤思达科技有限公司	IRF730	IR	13+	TO-220/SOP8	50000	勤思达科技主营IR系列,全新原装正品,公司现货供应。	询价
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