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IRF730S	文件：173.99 Kbytes Page：9 Pages	Repetitive Avalanche Rated DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The D2PAK (TO-263) is a surface mount power package capable of accommodating die size up to HEX-4. It provi 文件：173.99 Kbytes 页数：9 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRF730S	文件：192.81 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET FEATURES • Surface-mount • Available in tape and reel • Dynamic dV/dt rating • Repetitive avalanche rated • Fast switching • Ease of paralleling • Simple drive requirements • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 Note * This datasheet 文件：192.81 Kbytes 页数：9 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRF730S	文件：262.3 Kbytes Page：6 Pages	HEXFET POWER MOSFET DESCRIPTION Third Generation MOSFETs from International Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The SMD-220 is a surface mount power package capable of accommodating die size up to HEX-4. It p 文件：262.3 Kbytes 页数：6 Pages	IRF	IRF
IRF730S	文件：1.42874 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) =400V ● ID = 5.5 A (VGS = 10V) ● RDS(ON) 文件：1.42874 Mbytes 页数：5 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
IRF730S_V01	文件：192.81 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET FEATURES • Surface-mount • Available in tape and reel • Dynamic dV/dt rating • Repetitive avalanche rated • Fast switching • Ease of paralleling • Simple drive requirements • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 Note * This datasheet 文件：192.81 Kbytes 页数：9 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRF730SPBF	文件：893.24 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET POWER MOSFET DESCRIPTION Third Generation MOSFETs from International Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The SMD-220 is a surface mount power package capable of accommodating die size up to HEX-4. It p 文件：893.24 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRF730S	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET Surface-mount\nAvailable in tape and reel\nDynamic dV/dt rating;	Vishay 威世科技	Vishay
IRF730S	文件：300 bytes Page：1 Pages	HEXFET POWER MOSFET	Infineon 英飞凌	Infineon
IRF730S/SiHF730S	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET	Vishay 威世科技	Vishay

详细参数

型号：
IRF730S
功能描述：
MOSFET N-Chan 400V 5.5 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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