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TA7233P	文件：631.38 Kbytes Page：9 Pages	DUALAUDIOPOWERAMPLIFIER	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
TDA7233	文件：371.46 Kbytes Page：8 Pages	1WAUDIOAMPLIFIERWITHMUTE	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
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TDA7233S	文件：65.97 Kbytes Page：6 Pages	1WAUDIOAMPLIFIERWITHMUTE DESCRIPTION TheTDA7233SisamonolithicintegratedcircuitinSIP9,intendedforuseasclassABpoweramplifierwithawiderangeofsupplyvoltagefrom1.8Vto15Vinportableradios,cassetterecordersandplayers. OPERATINGVOLTAGE1.8TO15V EXTERNALMUTEORPOWERDOWNFUNCTION	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
TLE7233EM	文件：966.96 Kbytes Page：33 Pages	SPIDriverforEnhancedRelayControl	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
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TLE7233G	文件：586.12 Kbytes Page：32 Pages	SPIDriverforEnhancedRelayControl	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
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TPS7233QD	文件：581.54 Kbytes Page：37 Pages	MICROPOWERLOW-DROPOUT(LDO)VOLTAGEREGULATORS	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
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详细参数

型号：
IRF7233
功能描述：
MOSFET P-CH 12V 9.5A 8-SOIC
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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