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IRF630S	文件：218.73 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET FEATURES •Surface-mount •Availableintapeandreel •Dynamicdv/dtrating •Repetitiveavalancherated •Fastswitching •Easeofparalleling •Simpledriverequirements •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatashee	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF630SPBF	文件：986.65 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPOWERMOSFET(VDSS=200V,RDS(on)=0.40廓,ID=9.0A)	IRF International Rectifier	IRF
IRF630SPBF	文件：218.73 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF630STRLPBF	文件：175.32 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheD2PAKisasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizesuptoHEX-4.Itprovidesthe	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF630STRLPBFA	文件：218.73 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF630STRR	文件：175.32 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF630STRRPBFA	文件：218.73 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFI630	文件：648.95 Kbytes Page：9 Pages	200VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Features •9.0A,200V,RDS(on)=0.4Ω@VGS=10V •Lowgatecharge(typical22nC) •LowCrss(typical22pF) •Fastswitching •100av	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRFI630	文件：176.76 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=200V,Rds(on)=0.40ohm,Id=5.9A) 200VN-ChannelMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFI630B	文件：648.95 Kbytes Page：9 Pages	200VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Features •9.0A,200V,RDS(on)=0.4Ω@VGS=10V •Lowgatecharge(typical22nC) •LowCrss(typical22pF) •Fastswitching •100av	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

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详细参数

型号：
IRF630NLPBF
功能描述：
MOSFET MOSFT 200V 9.5A 300mOhm 23.3nC
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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