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IRF630NS	文件：240.54 Kbytes Page：11 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRF630NS	文件：173.94 Kbytes Page：2 Pages	PowerMOSFET	TELTokyo Electron Ltd. 东电电子东京电子有限公司	TEL
IRF630NSPBF	文件：292.16 Kbytes Page：11 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRF630NSPBF	文件：340.74 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology Description FifthGenerationHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknow	IRF International Rectifier	IRF
IRF630NSPBF	文件：340.74 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
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IRF630NSRPBF	文件：340.74 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRF630NSTRLPBF	文件：340.74 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology Description FifthGenerationHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknow	IRF International Rectifier	IRF
IRF630PBF	文件：2.10068 Mbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET(VDSS=200V,RDS(on)=0.40廓,ID=9.0A)	IRF International Rectifier	IRF
IRF630PBF	文件：579.72 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220ABpackageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipati	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

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详细参数

型号：
IRF630NLPBF
功能描述：
MOSFET MOSFT 200V 9.5A 300mOhm 23.3nC
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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