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IRF630

SEMICONDUCTORS

文件:2.43533 Mbytes 页数:31 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

IRF630

FIELD EFFECT POWER TRANSISTOR

文件:854.87 Kbytes 页数:2 Pages

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

IRF630

N-channel TrenchMOS transistor

文件:923.6 Kbytes 页数:3 Pages

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

IRF630

FIELD EFFECT POWER TRANSISTOR

文件:910.79 Kbytes 页数:2 Pages

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

IRF630

N-Channel Power Mosfets

文件:155.57 Kbytes 页数:6 Pages

ARTSCHIP

IRF630

Power MOSFET

文件:283.3 Kbytes 页数:9 Pages

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

IRF630

Power MOSFET

• Dynamic dV/dt rating\n• Repetitive avalanche rated\n• Fast switching;

Vishay

威世

IRF630

Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.40ohm, Id=9.0A)

Infineon

英飞凌

IRF630

场效应管

HXY MOSFET

华轩阳电子

IRF630_V01

Power MOSFET

FEATURES • Dynamic dV/dt rating • Repetitive avalanche rated • Fast switching • Ease of paralleling • Simple drive requirements • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 Note * This datasheet provides information about parts that are RoH

文件:159.6 Kbytes 页数:8 Pages

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

技术参数

  • Package:

    TO-220AB

  • Grade:

    Industrial

  • VDSS(V):

    200

  • RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω):

    0.4

  • Drain Current (Dc)_max(A):

    9

  • PTOT_max(W):

    75

  • Qg_typ(nC):

    31

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
HARRIS
19+
TO-220
20000
询价
STM
22+
TO-220-3
40000
询价
ST/意法
25+
TO220
32360
ST/意法全新特价IRF630即刻询购立享优惠#长期有货
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APEC
全新原装
TO-220(P)
5000
全新原装 货期两周
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25+
500
公司现货库存
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IR
24+
TO-220
2000
全新原装深圳仓库现货有单必成
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ST/意法
1809+
TO-220
3
原装正品 可含税交易
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STM
21+
15000
TO-220-3
询价
IR
24+
TO 220
161449
明嘉莱只做原装正品现货
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ST(意法半导体)
NA
4586
全新原装正品现货可开票
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更多IRF630供应商 更新时间2026-1-19 16:05:00