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IRF540ZSPBF	文件：349.55 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET VDSS = 100V RDS(on) = 26.5mΩ ID = 36A Description Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating te 文件：349.55 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
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技术参数

OPN：
IRF540ZPBF
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
TO220
VDS max：
100 V
RDS (on) @10V max：
26.5 mΩ
ID @25°C max：
36 A
QG typ @10V：
42 nC
Polarity：
N
VGS(th) min：
2 V
VGS(th) max：
4 V
VGS(th)：
3 V
Technology：
IR MOSFET™

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