| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市欧立现代科技有限公司10年
留言
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IRTO-220AB |
9300 |
22+ |
绝对原装现货,价格低,欢迎询购! |
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深圳市誉腾达半导体科技有限公司1年
留言
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INFINEONTO-220-3 |
3000 |
22+ |
公司只有原装 |
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深圳市智连鑫科技有限公司1年
留言
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INFINEONTO-220-3 |
8000 |
23+ |
只做原装正品,假一罚十 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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IORTO220 |
8000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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Infineon(英飞凌)TO-263 |
10049 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市美思瑞电子科技有限公司11年
留言
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IRD2-PAK |
9450 |
22+ |
原装正品，实单请联系 |
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深圳市英科美电子有限公司9年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-220 |
18346 |
2021+ |
原装进口假一罚十 |
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深圳市赛能新源半导体有限公司4年
留言
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INFINEONDDPAK-3 |
60000 |
21+ |
原装正品进口现货 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-263 |
3020 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市豪迈兴电子有限公司6年
留言
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INFINEONTO-220 |
32280 |
2339+ |
原装现货 假一罚十!十年信誉只做原装! |
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深圳市壹芯创科技有限公司12年
留言
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INFINEONTO-220 |
42000 |
22+ |
原装现正品可看现货 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IRTO-263 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市凌特半导体科技有限公司2年
留言
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Infineon英飞凌专营TO-220AB |
9000 |
原装现货当天可交货,长期备货支持BOM配单账期 |
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司5年
留言
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12000 |
22+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市吉中创电子科技有限公司5年
留言
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INFINEONTO-220 |
5000 |
23+ |
公司现货原装 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-220AB |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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IRTO-220 |
10 |
17+ |
主营IR可含税只做全新原装正品现货 |
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深圳市特莱科技有限公司6年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-263 |
3020 |
21+23+ |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
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京海半导体(深圳)有限公司2年
留言
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INFINEONTO-220-3 |
3000 |
22+ |
只做原装，支持实单，来电咨询。 |
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深圳市世华芯科技有限公司1年
留言
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INFINEON原厂封装 |
3000 |
2147+ |
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15年芯片行业经验/只供原装正品 |
IRF540Z采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRF540Z图片
IRF540ZPBF价格
IRF540ZPBF价格：￥2.4147品牌：INTERNATIONAL
生产厂家品牌为INTERNATIONAL的IRF540ZPBF多少钱，想知道IRF540ZPBF价格是多少？参考价：￥2.4147。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRF540ZPBF批发价格及采购报价，IRF540ZPBF销售排行榜及行情走势，IRF540ZPBF报价。
IRF540ZPBF中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF540Z功能描述:MOSFET N-CH 100V 36A TO-220AB RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF540ZHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 100V 36A 3PIN TO-220AB - Bulk
IRF540ZL功能描述:MOSFET N-CH 100V 36A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF540ZLPBF功能描述:MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 26.5mOhms 42nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF540ZPBF功能描述:MOSFET MOSFT 100V 36A 26.5mOhm 42nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF540ZS功能描述:MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF540ZSHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
IRF540ZSPBF功能描述:MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 26.5mOhms 42nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
