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IRF510	文件：374.91 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Power Mosfets	ARTSCHIP ARTSCHIP ELECTRONICS CO.,LMITED.	ARTSCHIP
IRF510	文件：2.43533 Mbytes Page：31 Pages	SEMICONDUCTORS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
IRF510_V01	文件：158.35 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET FEATURES •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •175°Coperatingtemperature •Fastswitching •Easeofparalleling •Simpledriverequirements •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatasheetprovidesinfor	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF510-513	文件：151.65 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Power MOSFETs, 5.5 A, 60-100V N-ChannelPowerMOSFETs,5.5A,60-100V	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRF510A	文件：252.81 Kbytes Page：7 Pages	Advanced Power MOSFET FEATURES •AvalancheRuggedTechnology •RuggedGateOxideTechnology •LowerInputCapacitance •ImprovedGateCharge •ExtendedSafeOperatingArea •175°COperatingTemperature •LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=100V •LowerRDS(ON):0.289Ω(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRF510N	文件：70.43 Kbytes Page：7 Pages	5.6A, 100V, 0.540 Ohm, N-Channel Power MOSFET 5.6A,100V,0.540Ohm,N-ChannelPowerMOSFET ThisN-ChannelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorisanadvancedpowerMOSFETdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETs	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRF510N	文件：1.06464 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness.TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipatio	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF510N	文件：252.81 Kbytes Page：7 Pages	Advanced Power MOSFET FEATURES •AvalancheRuggedTechnology •RuggedGateOxideTechnology •LowerInputCapacitance •ImprovedGateCharge •ExtendedSafeOperatingArea •175°COperatingTemperature •LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=100V •LowerRDS(ON):0.289Ω(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRF510N	文件：176.75 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness.TheD2PAK(TO-263)isasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizesuptoHEX-4.It	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF510N	文件：175.7 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.54ohm, Id=5.6A) HEXFETpowerMOSFET.VDSS=100V,RDS(on)=0.54Ohm,ID=5.6A	IRF International Rectifier	IRF

详细参数

型号：
IRF510
功能描述：
MOSFET N-Chan 100V 5.6 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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