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IRF510N	文件：176.75 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The D2PAK (TO-263) is a surface mount power package capable of accommodating die sizes up to HEX-4. It 文件：176.75 Kbytes 页数：9 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRF510N	文件：175.7 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.54ohm, Id=5.6A) HEXFET power MOSFET. VDSS = 100V, RDS(on) = 0.54 Ohm, ID = 5.6A 文件：175.7 Kbytes 页数：6 Pages	IRF	IRF
IRF510N	文件：178.41 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.54ohm, Id=5.6A) 文件：178.41 Kbytes 页数：6 Pages	IRF	IRF
IRF510PBF	文件：236.57 Kbytes Page：7 Pages	HEXFET POWER MOSFET HEXFET POWER MOSFET 文件：236.57 Kbytes 页数：7 Pages	IRF	IRF
IRF510PBF	文件：1.06464 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipatio 文件：1.06464 Mbytes 页数：8 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRF510S	文件：176.75 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The D2PAK (TO-263) is a surface mount power package capable of accommodating die sizes up to HEX-4. It 文件：176.75 Kbytes 页数：9 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRF510S	文件：217.2 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET FEATURES • Surface-mount • Available in tape and reel • Dynamic dv/dt rating • Repetitive avalanche rated • 175 °C operating temperature • Fast switching • Ease of paralleling • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 Note * This datas 文件：217.2 Kbytes 页数：9 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRF510S	文件：178.41 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.54ohm, Id=5.6A) 文件：178.41 Kbytes 页数：6 Pages	IRF	IRF
IRF510S_V01	文件：217.2 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET FEATURES • Surface-mount • Available in tape and reel • Dynamic dv/dt rating • Repetitive avalanche rated • 175 °C operating temperature • Fast switching • Ease of paralleling • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 Note * This datas 文件：217.2 Kbytes 页数：9 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRF510N	文件：331.86 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET Power MOSFET 文件：331.86 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF

技术参数

Minimum Operating Temperature：
-55°C
Maximum Power Dissipation：
43000mW
Maximum Operating Temperature：
175°C
Maximum Gate Source Voltage：
±20V
Maximum Drain Source Voltage：
100V
Maximum Continuous Drain Current：
5.6A
Configuration：
Single
Channel Type：
N
Channel Mode：
Enhancement
Category：
Power MOSFET

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