IRF510A中文资料仙童半导体数据手册PDF规格书
IRF510A规格书详情
FEATURES
• Avalanche Rugged Technology
• Rugged Gate Oxide Technology
• Lower Input Capacitance
• Improved Gate Charge
• Extended Safe Operating Area
• 175°C Operating Temperature
• Lower Leakage Current : 10 μA (Max.) @ VDS= 100V
• Lower RDS(ON) : 0.289 Ω(Typ.)
产品属性
- 型号：
IRF510A
- 功能描述：
MOSFET 100V .2 OHM 33W
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
21+ |
TO-220 |
12588 |
原装正品,自己库存 假一罚十 |
询价 | ||
IR |
24+ |
TO-220 |
80000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
询价 | ||
IR |
15+ |
TO-220 |
11560 |
全新原装,现货库存,长期供应 |
询价 | ||
IR |
23+ |
TO-220 |
56165 |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
询价 | ||
SEC |
23+ |
TO-220 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
VishayIR |
24+ |
TO-220 |
661 |
询价 | |||
IR |
25+ |
262 |
860000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
IR |
2016+ |
TO-262 |
6528 |
房间原装进口现货假一赔十 |
询价 | ||
IR |
22+ |
6000 |
终端可免费供样,支持BOM配单 |
询价 | |||
IR |
24+ |
T0-220 |
3200 |
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718 |
询价 |
