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IRF3205ZL	文件：5.0983 Mbytes Page：12 Pages	Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance 文件：5.0983 Mbytes 页数：12 Pages	KERSEMI	KERSEMI
IRF3205ZLPBF	文件：385.59 Kbytes Page：12 Pages	Advanced Process Technology 文件：385.59 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRF3205ZPBF	文件：385.59 Kbytes Page：12 Pages	Advanced Process Technology 文件：385.59 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRF3205ZPBF	文件：385.59 Kbytes Page：12 Pages	Advanced Process Technology 文件：385.59 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRF3205ZPBF_15	文件：385.59 Kbytes Page：12 Pages	Advanced Process Technology 文件：385.59 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRF3205ZS	文件：5.0983 Mbytes Page：12 Pages	Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance 文件：5.0983 Mbytes 页数：12 Pages	KERSEMI	KERSEMI
IRF3205ZS	文件：300.06 Kbytes Page：2 Pages	丝印：D2PAK；Package：TO-263；Isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：300.06 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRF3205ZSPBF	文件：385.59 Kbytes Page：12 Pages	Advanced Process Technology 文件：385.59 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRF3205ZSTRLPBF	文件：385.59 Kbytes Page：12 Pages	Advanced Process Technology 文件：385.59 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRF3205	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 TO-220 封装的 55V 单 N 沟道功率 MOSFET \n优势:\n• 低 RDS(on)\n• 具有业内先进的品质\n• 动态的dv/dt额定值\n• 快速开关\n• 完全雪崩额定值\n• 175°C 的工作温度\n \n ;	Infineon 英飞凌	Infineon

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技术参数

OPN：
IRF3205PBF
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
TO220
VDS max：
55 V
RDS (on) @10V max：
8 mΩ
ID @25°C max：
110 A
QG typ @10V：
97.3 nC
Polarity：
N
VGS(th) min：
2 V
VGS(th) max：
4 V
VGS(th)：
3 V
Technology：
IR MOSFET™

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