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IRF320-323

N-Channel Power MOSFETs, 3.0 A, 350-400 V

ONSEMI

安森美半导体

技术参数

  • OPN:

    IRF3205PBF

  • Qualification:

    Non-Automotive

  • Package name:

    TO220

  • VDS max:

    55 V

  • RDS (on) @10V max:

    8 mΩ

  • ID @25°C max:

    110 A

  • QG typ @10V:

    97.3 nC

  • Polarity:

    N

  • VGS(th) min:

    2 V

  • VGS(th) max:

    4 V

  • VGS(th):

    3 V

  • Technology:

    IR MOSFET™

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