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IRF2807ZPBF_15	文件：405.08 Kbytes Page：12 Pages	Advanced Process Technology 文件：405.08 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRF2807ZS	文件：279.61 Kbytes Page：13 Pages	Advanced Process Technology 文件：279.61 Kbytes 页数：13 Pages	IRF	IRF
IRF2807ZS	文件：189.76 Kbytes Page：2 Pages	丝印：D2PAK；Package：TO-263；Isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：189.76 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRF2807ZSPBF	文件：405.08 Kbytes Page：12 Pages	Advanced Process Technology 文件：405.08 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRF2807ZSTRL	文件：279.61 Kbytes Page：13 Pages	Advanced Process Technology 文件：279.61 Kbytes 页数：13 Pages	IRF	IRF
IRF2807ZSTRLPBF	文件：405.08 Kbytes Page：12 Pages	Advanced Process Technology 文件：405.08 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRF2807ZSTRRPBF	文件：405.08 Kbytes Page：12 Pages	Advanced Process Technology 文件：405.08 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRF2807S	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 D2-Pak 封装的 75V 单 N 沟道功率 MOSFET \n优势:\n• RoHS Compliant\n• Low RDS(on)\n• Industry-leading quality\n• Dynamic dv/dt Rating\n• Fast Switching\n• Fully Avalanche Rated\n• 175°C Operating Temperature;	Infineon 英飞凌	Infineon
IRF2807Z	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 TO-220 封装的 75V 单 N 沟道功率 MOSFET \n优势:\n• Optimized for broadest availability from distribution partners\n• Product qualification according to JEDEC standard\n• Optimized for 10V gate-drive voltage (called Normal level)\n• Industry standard through-hole power package\n• High-current carrying capability package (upto 195A, die-size ;	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

OPN：
IRF2807PBF
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
TO220
VDS max：
75 V
RDS (on) @10V max：
13 mΩ
ID @25°C max：
82 A
QG typ @10V：
106.7 nC
Polarity：
N
VGS(th) min：
2 V
VGS(th) max：
4 V
VGS(th)：
3 V
Technology：
IR MOSFET™

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