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20N03	文件：1.01516 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
20N03	文件：288.56 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
20N03HL	文件：1.01546 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
20N03J	文件：959.95 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
20N03L	文件：1.01522 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AP20N03GP	文件：62.58 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
AP20N03GS	文件：62.58 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
AP20N03H	文件：84.25 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
AP20N03J	文件：84.25 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
AP20N03P	文件：83.75 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODE	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
AP20N03S	文件：83.75 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODE	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
B20N03	文件：148.78 Kbytes Page：5 Pages	N?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: BVDSS30V RDSON(MAX.)20mΩ ID12A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
BRD20N03	文件：1.26934 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
EMA20N03A	文件：224.75 Kbytes Page：6 Pages	N?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: BVDSS25V RDSON(MAX.)20mΩ ID15A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
EMB20N03A	文件：152.91 Kbytes Page：6 Pages	N?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: BVDSS30V RDSON(MAX.)20mΩ ID15A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
EMB20N03G	文件：149.97 Kbytes Page：5 Pages	N?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
EMB20N03Q	文件：144.66 Kbytes Page：5 Pages	N?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: BVDSS30V RDSON(MAX.)22mΩ ID6A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
EMB20N03V	文件：148.78 Kbytes Page：5 Pages	N?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: BVDSS30V RDSON(MAX.)20mΩ ID12A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
EMB20N03VA	文件：141.22 Kbytes Page：5 Pages	N?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: BVDSS30V RDSON(MAX.)20mΩ ID7A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
EMB20N03VAT	文件：140.99 Kbytes Page：5 Pages	N?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: BVDSS30V RDSON(MAX.)20mΩ ID7A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE

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详细参数

型号：
IPU20N03L G
功能描述：
MOSFET N-CH 30V 30A IPAK
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
OptiMOS™
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多IPU20N03L G供应商更新时间2024-5-17 15:04:00

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