30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

AP20N03S采用先进的沟道技术，提供出色的RDS（ON），低栅极电荷和栅极电压低至1.8V的操作。该器件适用于负载开关或PWM应用。 V DS = 30V，ID = 20A \nRDS（ON）<28mΩ\n@ V GS = -2.5V RDS（ON）<35mΩ\n@ V GS = -4.5V 高功率和电流处理能力\n无铅产品\nSOP-8表贴封装;

APM

永源微

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

文件：83.75 Kbytes 页数：4 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

Product Summary: BVDSS 30V RDSON (MAX.) 20mΩ ID 12A UIS, Rg 100 Tested Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free

文件：148.78 Kbytes 页数：5 Pages

EXCELLIANCE

杰力科技

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件：1.26934 Mbytes 页数：4 Pages

DOINGTER

杜因特

N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

Product Summary: BVDSS 25V RDSON (MAX.) 20mΩ ID 15A UIS, Rg 100 Tested Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free

文件：224.75 Kbytes 页数：6 Pages

EXCELLIANCE

杰力科技