AP20N03S中文资料30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET数据手册APM规格书
AP20N03S规格书详情
描述 Description
AP20N03S采用先进的沟道技术，提供出色的RDS（ON），低栅极电荷和栅极电压低至1.8V的操作。该器件适用于负载开关或PWM应用。
特性 Features
V DS = 30V，ID = 20A
RDS（ON）<28mΩ
@ V GS = -2.5V RDS（ON）<35mΩ
@ V GS = -4.5V 高功率和电流处理能力
无铅产品
SOP-8表贴封装
应用 Application
●PWM应用
●负载开关
技术参数
- 制造商编号
：AP20N03S
- 生产厂家
：APM
- 耐压
：30V
- 栅源电压
：±20
- 开启电压
：1.8V
- 内阻（Max)10v
：28mΩ
- 内阻(Max)4.5v
：35mΩ
- ESD
：NO
- 状态
：量产
- 封装
：SOP-8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
铨力半导体 |
21+ |
TO-251 |
200 |
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询价 | ||
APEC |
13+ |
TO-263 |
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24+ |
TO-252 |
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APM |
25+ |
TO-252-3L |
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24+ |
TO-252 |
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TO-252 |
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APEC |
24+ |
TO-263 |
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APM |
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TO-252-3L |
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TO-252 |
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TO-263 |
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询价 |
