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IPW50R190CE

500V CoolMOS??CE Power MOSFET

500V CoolMOS™ CE Power MOSFET The CoolMOS™ CE is a new technology platform of Infineon’s market leading high voltage power MOSFETs designed according to the revolutionary superjunction (SJ) principle. 500V CE portfolio provides all benefits of a fast switching SJ MOSFET while not sacrificing eas

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INFINEON

英飞凌

IPW50R190CE

500V Superjunction MOSFET for Consumer and Lighting Applications

500V CoolMOS™ CE Power MOSFET The CoolMOS™ CE is a new technology platform of Infineon’s market leading high voltage power MOSFETs designed according to the revolutionary superjunction (SJ) principle. 500V CE portfolio provides all benefits of a fast switching SJ MOSFET while not sacrificing eas

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INFINEON

英飞凌

IPW50R190CE

500V CoolMOS짧 CE Power Transistor

Description CoolMOS™ is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. Features • Extremely low losses due to very low FOM Rdson^Qg and Eoss • Very high commutation ruggedness • Easy to

文件:1.88051 Mbytes 页数:14 Pages

INFINEON

英飞凌

IPW50R190CE

N-Channel MOSFET Transistor

• DESCRITION • Fast switching • FEATURES • Static drain-source on-resistance: RDS(on)≤190mΩ • Enhancement mode: • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation

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ISC

无锡固电

IPW50R190CE

Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

文件:2.33448 Mbytes 页数:15 Pages

INFINEON

英飞凌

IPW50R190CE_15

Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

文件:2.33448 Mbytes 页数:15 Pages

INFINEON

英飞凌

IPW50R190CE

500V-900V CoolMOS™ N-Channel Power MOSFET

500V CoolMOS™ CE 是一款高性价比的平台,能够满足消费产品和照明市场中成本敏感型应用,同时仍然能满足高效率标准。该新系列具备快速开关超结 MOSFET 的所有优点,同时又不牺牲易用性,并且具有市场上出色的成本性能比。 • 减少储存在输出电容中的能量 (Eoss)\n• 体二极管耐久性良好\n• 减少反向恢复电荷 (Qrr)\n• 减少栅极电荷 (Qg)\n\n优势:\n• 易于控制开关行为\n• 与之前的几代 CoolMOS™ 相比,具有更高的轻载效率\n• 与标准 MOSFET 相比,成本更具吸引力\n• 杰出的 CoolMOS™ 技术质量和可靠性;

Infineon

英飞凌

技术参数

  • Package :

    TO-247

  • VDS max:

    500.0V

  • RDS (on) max:

    190.0mΩ

  • Polarity :

    N

  • ID  max:

    18.5A

  • Ptot max:

    127.0W

  • IDpuls max:

    63.0A

  • VGS(th) min max:

    2.5V 3.5V

  • QG :

    47.2nC 

  • Rth :

    3.9K/W 

  • RthJC max:

    3.9K/W

  • RthJA max:

    80.0K/W

  • Operating Temperature min:

    -55.0°C 

  • Pin Count :

    3.0Pins 

  • Mounting :

    THT

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
Infineon
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MOSFET管
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更多IPW50R190CE供应商 更新时间2026-1-23 17:09:00