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EMB20N03V

N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

Product Summary: BVDSS 30V RDSON (MAX.) 20mΩ ID 12A UIS, Rg 100 Tested Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free

文件:148.78 Kbytes 页数:5 Pages

EXCELLIANCE

杰力科技

EMB20N03VA

N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

Product Summary: BVDSS 30V RDSON (MAX.) 20mΩ ID 7A UIS, Rg 100 Tested Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free

文件:141.22 Kbytes 页数:5 Pages

EXCELLIANCE

杰力科技

EMB20N03VAT

N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

Product Summary: BVDSS 30V RDSON (MAX.) 20mΩ ID 7A UIS, Rg 100 Tested Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free

文件:140.99 Kbytes 页数:5 Pages

EXCELLIANCE

杰力科技

EMB20N03VL

N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件:843.74 Kbytes 页数:7 Pages

EXCELLIANCE

杰力科技

EMB20N03V

Power MOSFETs-N Channel

Excelliance MOS

杰力科技

EMB20N03VAT

Power MOSFETs-N Channel

Excelliance MOS

杰力科技

EMB20N03VL

Power MOSFETs-N Channel

Excelliance MOS

杰力科技

技术参数

  • Channel:

    Single N

  • BVDSS(V):

    30

  • VGS(±V):

    20

  • ID(A):

    12

  • RDS(ON)(10V) Max.(mΩ):

    20

  • RDS(ON)(5V) Max.(mΩ):

     

  • RDS(ON)(4.5V) Max.(mΩ):

    30

  • RDS(ON)(2.5V) Max.(mΩ):

     

  • Qg(10V)Typ.(nC):

    11.5

  • CissTyp.(pF):

    520

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EMC
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QFN
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更多EMB20N03V供应商 更新时间2025-11-29 14:19:00