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IPP80N06S209	文件：453.46 Kbytes Page：3 Pages	N-Channel MOSFET FEATURES · Drain Current -ID= 80A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= 55V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 9.1mΩ(Max)@VGS= 10V APPLICATIONS · Switch Mode Power Supply (SMPS) · Uninterruptible Power Supply (UPS) · Power Factor Correction (PFC) 文件：453.46 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IPP80N06S2-09	文件：344.66 Kbytes Page：3 Pages	丝印：2N0609；Package：TO-220；isc N-Channel MOSFET Transistor ·FEATURES ·Drain Current –ID= 100A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 55V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) : 9.1mΩ(Max) ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation ·DESCRITION ·Ultra Low On-resistance · 文件：344.66 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IPP80N06S2-05	文件：160.78 Kbytes Page：8 Pages	OptiMOS Power-Transistor 文件：160.78 Kbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPP80N06S2-07	文件：164.14 Kbytes Page：8 Pages	OptiMOS Power-Transistor 文件：164.14 Kbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPP80N06S2-08	文件：164.45 Kbytes Page：8 Pages	OptiMOS Power-Transistor 文件：164.45 Kbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPP80N06S2-09	文件：161.43 Kbytes Page：8 Pages	OptiMOS Power-Transistor 文件：161.43 Kbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPP80N06S2-H5	文件：161.41 Kbytes Page：8 Pages	OptiMOS Power-Transistor 文件：161.41 Kbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPP80N06S2L-05	文件：163.8 Kbytes Page：8 Pages	OptiMOS Power-Transistor 文件：163.8 Kbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPP80N06S2L-06	文件：160.94 Kbytes Page：8 Pages	OptiMOS Power-Transistor 文件：160.94 Kbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPP80N06S2L-07	文件：160.86 Kbytes Page：8 Pages	OptiMOS Power-Transistor 文件：160.86 Kbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

OPN：
IPP80N06S209AKSA2
Qualification：
Automotive
Package name：
TO220 (PG-TO220-3)
VDS max：
55 V
RDS (on) @10V max：
9.1 mΩ
ID @25°C max：
80 A
QG typ @10V：
60 nC
Polarity：
N
VGS(th) min：
2.1 V
VGS(th) max：
4 V
Technology：
OptiMOS™

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