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IPP80N06S2-08	文件：300 bytes Page：1 Pages	20V-650V汽车级MOSFET • N-channel - Enhancement mode\n • Automotive AEC Q101 qualified\n • MSL1 up to 260°C peak reflow\n • 175°C operating temperature\n • Green package (lead free)\n • Ultra low Rds(on)\n • 100% Avalanche tested\n\n优势:\n• world's lowest RDS at 55V (on) in planar technology\n • highest current capab;	Infineon 英飞凌	Infineon
IPP80N06S2-08	文件：164.45 Kbytes Page：8 Pages	OptiMOS Power-Transistor 文件：164.45 Kbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
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SPB80N06S2-08	文件：1.05712 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 60 V (D-S) MOSFET 文件：1.05712 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
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更多IPP80N06S2-08供应商更新时间2025-10-11 19:24:00