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2N0609	文件：344.66 Kbytes Page：3 Pages	型号：IPP80N06S2-09；Package：TO-220；isc N-Channel MOSFET Transistor ·FEATURES ·DrainCurrent–ID=100A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=55V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on):9.1mΩ(Max) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation ·DESCRITION ·UltraLowOn-resistance ·	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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2N0609

文件：344.66 Kbytes

Page：3 Pages

型号：IPP80N06S2-09；Package：TO-220；isc N-Channel MOSFET Transistor

·FEATURES ·DrainCurrent–ID=100A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=55V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on):9.1mΩ(Max) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation ·DESCRITION ·UltraLowOn-resistance ·

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

详细参数

型号：
2N0609
功能描述：
MOSFET OptiMOS PWR TRANST 55V 80A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多2N0609供应商更新时间2025-7-29 16:36:00

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