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丝印：2N0609；Package：TO-220；isc N-Channel MOSFET Transistor ·FEATURES ·Drain Current –ID= 100A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 55V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) : 9.1mΩ(Max) ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation ·DESCRITION ·Ultra Low On-resistance · 文件：344.66 Kbytes 页数：3 Pages | ISC 无锡固电 | ISC | ||
2N0609 | N-Channel 60 V (D-S) MOSFET 文件：1.28949 Mbytes 页数：7 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | VBSEMI | |
2N0609 | isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：293.12 Kbytes 页数：2 Pages | ISC 无锡固电 | ISC |
详细参数
- 型号：
2N0609
- 功能描述：
MOSFET OptiMOS PWR TRANST 55V 80A
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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更新时间2025-9-19 9:24:00
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