| 型号 | 下载 订购 | 功能描述 | 制造商 上传企业 | LOGO |
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丝印：2N06L11；Package：P-TO263-3-2；Enhancement mode 文件：338.88 Kbytes 页数：8 Pages | Infineon 英飞凌 | Infineon | ||
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2N06L11 | N-Channel 60 V (D-S) MOSFET 文件：1.05282 Mbytes 页数：9 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | VBSEMI | |
isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：400.44 Kbytes 页数：2 Pages | ISC 无锡固电 | ISC | ||
isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：326.89 Kbytes 页数：2 Pages | ISC 无锡固电 | ISC | ||
isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：332.57 Kbytes 页数：2 Pages | ISC 无锡固电 | ISC |
详细参数
- 型号：
2N06L11
- 功能描述：
MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK
- RoHS：
否
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列：
OptiMOS™
- 标准包装：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装：
TO-220FP
- 包装：
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINE0N |
23+ |
TO-262-3 |
11846 |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
询价 | ||
INFINEON |
1503+ |
TO262-3 |
3000 |
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询价 | ||
Infineon |
22+ |
NA |
2118 |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
询价 | ||
Infineon Technologies |
24+ |
原装 |
5000 |
原装正品,提供BOM配单服务 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
2022+ |
TO-262-3,长引线,I2Pak,TO-26 |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
INFINEON |
22+ |
P-TO262-3-1 |
8000 |
终端可免费供样,支持BOM配单 |
询价 | ||
INFINEON |
23+ |
P-TO262-3-1 |
8000 |
只做原装现货 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
22+ |
I2PAK |
23876 |
询价 | |||
INFINEON |
23+ |
NA |
19960 |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
询价 | ||
SIE |
23+ |
TO |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
询价 |
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