| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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HGFTO-92 |
9862 |
18+ |
全新原装现货/假一罚百! |
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深圳市明嘉莱科技有限公司4年
留言
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N/ATO-92 |
880000 |
23+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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ON/安森美NA/ |
3905 |
23+ |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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ON/安森美TO92 |
655 |
23+ |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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STO92 |
990000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市维尔达电子有限公司7年
留言
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HGFTO-92 |
80000 |
2023+ |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
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深圳兆威电子有限公司5年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-92 |
90000 |
20+ |
全新原装正品现货/价格合适 |
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深圳市杰顺创科技有限公司3年
留言
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MOTTO-92 |
6500 |
21+ |
全新原装现货 |
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深圳市振宏微科技有限公司8年
留言
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NA |
35220 |
23+ |
专做原装正品,假一罚百! |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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TO-92 |
6852 |
1926+ |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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NPNEBCTO-92 |
50000 |
09+ |
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深圳市振鑫微电子科技有限公司4年
留言
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NATSEMI |
589610 |
23+ |
新到现货 原厂一手货源 价格秒杀代理! |
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深圳市蓝山航业科技有限公司9年
留言
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ge |
500000 |
22+ |
行业低价,代理渠道 |
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标准国际(香港)有限公司16年
留言
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2N4400319 |
319 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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CENTRAL-中环TO-92-3 |
36218 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市向鸿伟业电子有限公司12年
留言
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2098 |
进口原装-真实库存-价实 |
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上海金庆电子技术有限公司16年
留言
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ANY |
2656 |
新 |
全新原装 货期两周 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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STO92 |
12000 |
22+ |
只做原装、原厂优势渠道、假一赔十 |
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深圳市辰德隆电子科技有限公司9年
留言
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STO92 |
6000 |
23+ |
只有原装正品,老板发话合适就出 |
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深圳市深创辉科技有限公司16年
留言
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NATSEMI |
3828 |
94+ |
原装正品现货供应 |
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2N4400图片
2N4400中文资料Alldatasheet PDF
更多2N4400功能描述:两极晶体管 - BJT TO-92 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2N4400_D74Z功能描述:两极晶体管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2N4400_D81Z功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2N4400_S00Z功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2N4400-AP制造商:Micro Commercial Components(MCC) 功能描述:Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 3-Pin TO-92 Ammo
2N4400BU功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2N4400RA功能描述:两极晶体管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2N4400RLRB制造商:ON Semiconductor
2N4400TA功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2N4400TA_Q功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性质：
通用型 （Uni）
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
60V
- 最大电流允许值：
0.6A
- 最大工作频率：
<1MHZ或未知
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
BC337A,BC487,BC537,BC637,BC639,2N2220,2N2221,2N2221(A),2N2222,2N2222(A),3DK4B,
- 最大耗散功率：
0.625W
- 放大倍数：
β>50
- 图片代号：
A-31
- vtest：
60
- htest：
999900
- atest：
.6
- wtest：
.625
