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IPP80N06S2L-07	文件：160.86 Kbytes Page：8 Pages	OptiMOS Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPP80N06S2L-07	文件：1.03426 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel 60 V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
IPP80N06S2L-07	文件：300 bytes Page：1 Pages	20V-650V汽车级MOSFET; • N-channel - Enhancement mode\n • Automotive AEC Q101 qualified\n • MSL1 up to 260°C peak reflow\n • 175°C operating temperature\n • Green package (lead free)\n • Ultra low Rds(on)\n • 100% Avalanche tested\n\n优势:\n• world's lowest RDS at 55V (on) in planar technology\n • highest current capability\n • lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency\n • robust packages with superior quality and reliability\n • Optimized total gate charge enables smaller driver output stages\n;	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPB80N06S2L-07	文件：1.05692 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SPB80N06S2L-07	文件：308.72 Kbytes Page：8 Pages	OptiMOSPower-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPP80N06S2L-07	文件：998.27 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
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技术参数

OPN：
IPP80N06S2L07AKSA2
Qualification：
Automotive
Package name：
TO220 (PG-TO220-3)
VDS max：
55 V
RDS (on) @10V max：
7 mΩ
ID @25°C max：
80 A
QG typ @10V：
95 nC
Polarity：
N
VGS(th) min：
1.2 V
VGS(th) max：
2 V
Technology：
OptiMOS™

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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