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IPI032N06N3-G	文件：483.4 Kbytes Page：11 Pages	OptiMOS?? Power-Transistor Features Ideal for high frequency switching and sync. rec.	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
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IPA032N06N3G	文件：337.72 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOSTM3Power-Transistor Features •Idealforhighfrequencyswitchingandsync.rec. •OptimizedtechnologyforDC/DCconverters •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRDS(on) •N-channel,normallevel •100avalanchetested •Pb-freeplating;RoHScompliant •Qualifiedaccordin	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
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IPP032N06N3G	文件：2.27532 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
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