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IPI052NE7N3	文件：850.29 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOS3 Power-Transistor 文件：850.29 Kbytes 页数：10 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
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IPI052NE7N3 G	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET N-CH 75V 80A TO262-3	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

技术：
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：
75V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
80A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
5.2 毫欧 @ 80A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
3.8V @ 91µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）：
68nC @ 10V
Vgs（最大值）：
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
4750pF @ 37.5V
功率耗散（最大值）：
150W（Tc）
工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
通孔
供应商器件封装：
PG-TO262-3
封装/外壳：
TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多IPI052NE7N3供应商更新时间2025-10-10 15:01:00

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