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IPI057N08N3G	文件：526.21 Kbytes Page：11 Pages	OptiMOS 3 Power-Transistor Features N-channel, normal level Features •N-channel,normallevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRDS(on) •175°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication •Idealforhigh-frequencyswitchingandsynchr	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IPI057N08N3G	文件：1.02844 Mbytes Page：11 Pages	OptiMOS3 Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IIPA057N08N3	文件：300.92 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IIPP057N08N3	文件：338.63 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IPA057N08N3	文件：300.92 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IPA057N08N3G	文件：286.02 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS(TM)3Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IPA057N08N3G	文件：598.19 Kbytes Page：10 Pages	MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor Features •Idealforhighfrequencyswitchingandsync.rec. •OptimizedtechnologyforDC/DCconverters •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •N-channel,normallevel •100avalanchetested •Pb-freeplating;RoHScompliant •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplicatio	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IPB057N08N3G	文件：1.02844 Mbytes Page：11 Pages	OptiMOS3Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
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详细参数

型号：
IPI057N08N3G
制造商：
INFINEON
制造商全称：
Infineon Technologies AG
功能描述：
OptiMOS 3 Power-Transistor Features N-channel, normal level

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