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IPI120N06S4-02	文件：176.31 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS-T2 Power-Transistor Features • N-channel - Enhancement mode • AEC qualified • MSL1 up to 260°C peak reflow • 175°C operating temperature • Green Product (RoHS compliant) • 100 Avalanche tested 文件：176.31 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPI120N06S4-02	文件：300 bytes Page：1 Pages	60 V、N 通道、最大 2.4 mΩ、汽车 MOSFET、I2PAK、OptiMOS ™ -T2 • N 通道 - 增强模式\n• 符合汽车 AEC Q101 标准\n• MSL1 最高回流温度可达 260°C 峰值\n• 工作温度为 175°C\n• 绿色封装（无铅）\n• 超低 RDS(on)\n• 100% Avalanche 测试\n• 支持 PPAP 的设备;	Infineon 英飞凌	Infineon
IPP120N06S4-02	文件：176.31 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS-T2 Power-Transistor Features • N-channel - Enhancement mode • AEC qualified • MSL1 up to 260°C peak reflow • 175°C operating temperature • Green Product (RoHS compliant) • 100 Avalanche tested 文件：176.31 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPB120N06S4-02	文件：330.62 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor FEATURES · Drain Current -ID= 120A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= 60V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 2.8mΩ(Max)@VGS= 10V APPLICATIONS · Switch Mode Power Supply 文件：330.62 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IPB120N06S4-02	文件：176.31 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS-T2 Power-Transistor Features • N-channel - Enhancement mode • AEC qualified • MSL1 up to 260°C peak reflow • 175°C operating temperature • Green Product (RoHS compliant) • 100 Avalanche tested 文件：176.31 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

IDpulsmax：
480 A
Ptotmax：
188 W
QG(typ @10V) max：
150 nC
RDS (on)(@10V) max：
2.8 mΩ
RthJCmax：
0.8 K/W
VDSmax：
60 V
VGS(th)min：
2 V
VGS(th)max：
4 V
Package：
I2PAK (PG-TO262-3)
Operating Temperature：
-55 °C to 175 °C
Technology：
OptiMOS™-T2
Polarity：
N
Qualification：
Automotive
Budgetary Price €/1k：
1.47

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市高捷芯城科技有限公司	IPI120N06S4-02	Infineon(英飞凌)	24+	TO-262	8145	支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。	询价
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更多IPI120N06S4-02供应商更新时间2025-12-13 16:12:00

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