IPI086N10N3 G

20V-300V N-Channel Power MOSFET

英飞凌的 100V OptiMOS™ 功率 MOSFET 可以为高效率、高功率密度的 SMPS 提供卓越的解决方案。与下一代出色技术相比，该系列在 R Ds（on）和 FOM（品质因数）方面均降低了30％。\n; • 优异的开关性能\n• 世界较低的 (R Ds(on))\n• 极低的 Qg 和 Qgd\n• 出色的栅极电荷 x R DS（on）产品（FOM）\n• 符合 RoHS 标准 - 无卤素\n• MSL1 评级 2\n\n优势:\n• 环保\n• 提高效率\n• 极高的功率密度\n• 减少并联\n• 极低的板空间消耗\n• 产品易于设计\n;

IPI086N10N3G

OptiMOS??Power-TransistorFeaturesExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM)

IPI086N10N3G

N-channel,normallevel

IPP086N10N3

iscN-ChannelMOSFETTransistor

IPI120N04S4-01

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TO262-3