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IPP086N10N3

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:338.18 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

IPP086N10N3G

OptiMOS?? Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)

文件:480.83 Kbytes 页数:12 Pages

INFINEON

英飞凌

IPP086N10N3G

N-channel, normal level

文件:784.37 Kbytes 页数:12 Pages

INFINEON

英飞凌

IPP086N10N3G_13

N-channel, normal level

文件:784.37 Kbytes 页数:12 Pages

INFINEON

英飞凌

IPP086N10N3 G

N 沟道功率 MOSFET

英飞凌的 100V OptiMOS™ 功率 MOSFET 可以为高效率、高功率密度的 SMPS 提供卓越的解决方案。与下一代出色技术相比,该系列在 R Ds(on)和 FOM(品质因数)方面均降低了30%。 • 优异的开关性能\n• 世界较低的 (R Ds(on))\n• 极低的 Qg 和 Qgd\n• 出色的栅极电荷 x R DS(on)产品(FOM)\n• 符合 RoHS 标准 - 无卤素\n• MSL1 评级 2\n\n优势:\n• 环保\n• 提高效率\n• 极高的功率密度\n• 减少并联\n• 极低的板空间消耗\n• 产品易于设计;

Infineon

英飞凌

技术参数

  • OPN:

    IPP086N10N3GXKSA1

  • Qualification:

    Non-Automotive

  • Package name:

    PG-TO220-3

  • VDS max:

    100 V

  • RDS (on) @10V max:

    8.6 mΩ

  • ID @25°C max:

    80 A

  • QG typ @10V:

    42 nC

  • Polarity:

    N

  • Operating Temperature min:

    -55 °C

  • Operating Temperature max:

    175 °C

  • Technology:

    OptiMOS™ 3

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多IPP086N10N3供应商 更新时间2026-1-30 14:02:00