首页>IPI086N10N3 G>规格书详情
IPI086N10N3 G中文资料N 沟道功率 MOSFET数据手册Infineon规格书
IPI086N10N3 G规格书详情
描述 Description
英飞凌的 100V OptiMOS™ 功率 MOSFET 可以为高效率、高功率密度的 SMPS 提供卓越的解决方案。与下一代出色技术相比，该系列在 R Ds（on）和 FOM（品质因数）方面均降低了30％。
特性 Features
• 优异的开关性能
• 世界较低的 (R Ds(on))
• 极低的 Qg 和 Qgd
• 出色的栅极电荷 x R DS（on）产品（FOM）
• 符合 RoHS 标准 - 无卤素
• MSL1 评级 2
优势:
• 环保
• 提高效率
• 极高的功率密度
• 减少并联
• 极低的板空间消耗
• 产品易于设计
应用 Application
• AC-DC SMPS的同步整流
• 48V-80V 系统的电机控制（即家用车辆、电动工具、卡车）
• 隔离式 DC-DC 转换器（电讯和数据通信系统）
• 48V系统的开关和断路器
• D 类音频放大器
• 不间断电源 (UPS)
技术参数
- 制造商编号
：IPI086N10N3 G
- 生产厂家
：Infineon
- OPN
：IPI086N10N3GXKSA1
- Qualification
：Non-Automotive
- Package name
：PG-TO262-3
- VDS max
：100 V
- RDS (on) @10V max
：8.6 mΩ
- ID @25°C max
：82 A
- QG typ @10V
：42 nC
- Polarity
：N
- Operating Temperature min
：-55 °C
- Operating Temperature max
：175 °C
- Technology
：OptiMOS™ 3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飞凌 |
13+ |
TO-262 |
192 |
询价 | |||
infineon |
25+23+ |
TO-262 |
27501 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
TO-262 |
8500 |
原厂原包原装公司现货,假一赔十,低价出售 |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
标准封装 |
7000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
询价 | ||
INFINEON |
23+ |
TO-262 |
25000 |
英飞凌MOS管全系列在售,终端可供样品 |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
- |
19850 |
原装正品,假一赔十 |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
24+ |
标准封装 |
7000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
询价 | ||
INFINEON |
1645+ |
TO-262 |
8500 |
只做原装进口,假一罚十 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
23+ |
TO-262 |
6000 |
原装正品，支持实单 |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
标准封装 |
7000 |
公司只做原装，可来电咨询 |
询价 |
