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IPI034NE7N3 G中文资料MOSFET N-CH 75V 100A TO262-3数据手册Infineon规格书

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厂商型号

IPI034NE7N3 G

功能描述

MOSFET N-CH 75V 100A TO262-3

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-11-19 11:10:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :IPI034NE7N3 G

  • 生产厂家

    :Infineon

  • 技术

    :MOSFET(金属氧化物)

  • 漏源电压(Vdss)

    :75V

  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)

    :100A(Tc)

  • 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)

    :3.4 毫欧 @ 100A,10V

  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)

    :3.8V @ 155µA

  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)

    :117nC @ 10V

  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)

    :8130pF @ 37.5V

  • FET 功能

    :-

  • 功率耗散(最大值)

    :214W(Tc)

  • 工作温度

    :-55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型

    :通孔

  • 供应商器件封装

    :PG-TO262-3

  • 封装/外壳

    :TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
-
23+
NA
10000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
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INFINEON
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TO-262
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TO-262
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INFINEON/英飞凌
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TO-262
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INFINEON
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10000
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Infineon
22+
NA
2118
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