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IPI023NE7N3 G数据手册Infineon中文资料规格书
技术参数
- 制造商编号
：IPI023NE7N3 G
- 生产厂家
：Infineon
- 技术
：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）
：75V
- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
：120A（Tc）
- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
：2.3 毫欧 @ 100A，10V
- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
：3.8V @ 273µA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
：206nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
：14400pF @ 37.5V
- FET 功能
：-
- 功率耗散（最大值）
：300W（Tc）
- 工作温度
：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型
：通孔
- 供应商器件封装
：PG-TO262-3
- 封装/外壳
：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飞凌 |
22+ |
TO-262 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
NA/ |
8250 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
INFINEON |
23+ |
TO-262 |
25000 |
英飞凌MOS管全系列在售,终端可供样品 |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
NA |
7000 |
工厂现货!原装正品! |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
TO262 |
28888 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
22+ |
TO2623 Long Leads I2Pak TO262A |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
标准封装 |
7000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
询价 | ||
INFINEON |
23+ |
TO-262 |
9000 |
专业配单,原装正品假一罚十,代理渠道价格优 |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
24+ |
TO262 |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
标准封装 |
7000 |
公司只做原装，可来电咨询 |
询价 |
