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IPI034NE7N3 G	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET N-CH 75V 100A TO262-3	Infineon 英飞凌	Infineon
IPI034NE7N3G	文件：466.4 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOSTM3 Power-Transistor Features Optimized technology for synchronous rectification 文件：466.4 Kbytes 页数：10 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPP034NE7N3	文件：338.19 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：338.19 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
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技术参数

技术：
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：
75V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
100A（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
3.4 毫欧 @ 100A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
3.8V @ 155µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）：
117nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
8130pF @ 37.5V
功率耗散（最大值）：
214W（Tc）
工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
通孔
供应商器件封装：
PG-TO262-3
封装/外壳：
TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA

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更多IPI034NE7N3 G供应商更新时间2025-10-31 14:12:00

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