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IPB80N06S4-05	文件：350.26 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES · Drain Current -ID= 80A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= 60V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 5.7mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION · Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：350.26 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IPB80N06S2-05	文件：160.78 Kbytes Page：8 Pages	OptiMOS Power-Transistor 文件：160.78 Kbytes 页数：8 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
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IPB80N06S2-09	文件：161.43 Kbytes Page：8 Pages	OptiMOS Power-Transistor 文件：161.43 Kbytes 页数：8 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
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技术参数

OPN：
IPB80N06S405ATMA2
Qualification：
Automotive
Package name：
D2PAK (PG-TO263-3)
VDS max：
60 V
RDS (on) @10V max：
5.4 mΩ
ID @25°C max：
80 A
QG typ @10V：
62 nC
Polarity：
N
VGS(th) min：
2 V
VGS(th) max：
4 V
Technology：
OptiMOS™-T2

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